Technical patents

13. A. Soon, K. Kim, W. Hwang, and S. Oh, 페로브스카이트 물질의 온도 의존적 유전 특성 예측을 위한 정합성 향상 기술 및 방법 Method for calculating accurate temperature dependent dielectric properties for perovskites, Patent pending 10-2023-0145501, October 27 (2023)

12. D. Lee, A. Soon, W. Hwang, S. Oh, and J. Lee, 산화물 강유전체의 치환물의 분극특성 예측장치 및 방법 Apparatus and method for predicting polarization characteristics of substitutes for oxide ferroelectrics, patent Pending 10-2022-0168621, December 06 (2022)

11. W. Hwang, J.-H. Lee, and A. Soon, 페로브스카이트 및 준 페로브스카이트 관련 물질의 분석 방법 Method for analyzing perovskite and pseudo-perovskite material, Patent pending 10-2022-0029856, March 10 (2022)

10. J.-H. Lee, W. Hwang, S. Oh, K. Kim, and A. Soon, 데이터-기계학습 기반 무연 니오브산계 양이온 치환물의 분극 특성 탐색 방법 및 장치 Method and apparatus for using feature-assisted machine learning algorithms to boost polarity in lead-free multicomponent niobate alloys for high-performance ferroelectrics, Patent pending 10-2021-0170836, December 02 (2021)

9. W. Hwang, S. Oh, and A. Soon, 비납 나이오베이트계 양이온 치환 화합물의 설계 방법 Method for preparing lead-free niobate-based cation-substituted compounds, Patent pending 10-2021-0178595, December 14 (2021)

8. W. Jang, W. Hwang, Z. Chen, H. Choi, and A. Soon, 전이금속 디칼코게나이드-유래 야누스 단분자층 및 이의 제조방법 Transition metal dichalcogenide-derived Janus monolayers and manufacturing method of the same, Korean patent number 10-2527849, April 26 (2023)

7. Y.-J. Lee, S. Oh, A. Soon, 칼코겐화물의 양이온 치환을 통한 임계 전압의 조절 방법 Method for controlling threshold voltage by cation exchange of chalcogenides, Korean patent number 10-2519204, April 03 (2023)

6. Z. Chen, W. Jang, S. Park, S. Yoo, W. Hwang, K. Kim, M. Kim, D. Kim, A. Soon, and H. Choi, 압광전 단일 소자 및 이의 제조방법 Photoluminescence single device and manufacturing method of the same, Korean patent number 10-2480374, December 19 (2022)

5. J. Lee, T. Lee, W. Jang, W. Hwang, and A. Soon, 신규한 구조의 육방정계 삼원 황화물 및 이를 포함하는 광 촉매 Hexagonal ternary sulfide with novel structure for photocatalysts, Korean patent number 10-2401286, May 19 (2022)

4. T. Lee, Y.-J. Lee, and A. Soon, 금 표면에 담지 된 박막 산화 몰리브데넘 다형체 제어 예측 기술 Structure analyzing method of for molybdenum oxide thin films on Au substrate, Korean patent number 10-2345192, December 27 (2021)

3. T. Lee, W. Jang, J. Yun, and A. Soon, 페로브스카이트 및 준 페로브스카이트 관련 물질의 분석 방법 및 장치 Method and apparatus for analyzing perovskte and pseudo-perovskte materials, Korean patent number 10-2299462, September 01 (2021)

2. W. Jang, J. Lee, and A. Soon, 이종 계면을 갖는 열전 구조체 및 이를 포함하는 열전 소자 Few-layer graphene with tetradymite heterointerface structure for thermoelectric device, Korean patent number 10-2130220, June 29 (2020)

1. A. Soon, 위상 절연체의 임계 적층두께 도출방법 Deduction method of critical laminate thickness for topological insulator, Korean patent number 10-1772636, August 23 (2017)